ความร่วมมือครั้งใหม่ระหว่างสองยักษ์ใหญ่แห่งวงการไอที ที่น่าจะเปลี่ยนโฉมของวงการมือถือไปได้อย่างมหาศาลในอนาคต
https://youtu.be/OF3Zwfu6Ngc
โดยในวันนี้ทาง Samsung และ IBM ได้ประกาศถึงความร่วมมือครั้งใหม่ระหว่างสองบริษัทที่ร่วมพัฒนากระบวนการผลิตชิปแบบใหม่ที่เรียกว่า Vertical Transport Field Effect Transistor หรือ VTFET ที่เป็นการวางตัวนำกระแสไฟฟ้าของชิปในแบบซ้อนชั้น แทนการวางแบบแนวระนาบที่เป็นสองมิติแบบเดิมเหมือนชิปทั่วไป ซึ่งทำให้กระแสไฟฟ้าวิ่งในแผงวงจรสามารถวิ่งแนวดิ่งแบบสามมิติได้
ซึ่งผลดีของการที่กระแสไฟฟ้าสามารถจ่ายไฟในแบบสามมิตินั้นมีมากมาย โดยหลักแล้วจะทำให้ประสิทธิภาพการประมวลผลทำได้ดีขึ้น รวมไปถึงกินพลังงานน้อยลง โดยอัตราการใช้พลังงานนั้นจะลดลงอย่างมากถึง 85% ซึ่งยาวนานชนิดที่ว่าสามารถยืดอายุการใช้งานต่อการชาร์จอุปกรณ์โทรศัพท์มือถือหนึ่งครั้งได้นานขึ้นถึงหนึ่งสัปดาห์ได้เลย
อย่างไรก็ตาม กระบวนการผลิตแบบ VTFET นี้ยังอยู่ในช่วงต้นของการพัฒนา และน่าจะใช้เวลาอีกนานพอสมควรกว่าที่จะถูกนำมาปรับใช้กับอุปกรณ์อย่างมือถือและเครื่องใช้ไฟฟ้าภายในบ้าน แต่ถ้าหากถึงวันนั้น ชิปที่ใช้งานในอุปกรณ์ทั่วไปจะมีประสิทธิภาพที่มากขึ้นแน่นอน และจะทำให้กฎของมัวร์ที่เคยทำนายว่าปริมาณของ Transistor บนชิปนั้นจะเพิ่มขึ้นเป็นสองเท่าในทุกสองปีเป็นจริงขึ้นมาได้อีกด้วย น่าสนใจว่าอนาคตของชิปประมวลผลที่ใช้การผลิตแบบ VTFET จะทำให้เทคโนโลยีของเราก้าวกระโดดได้ขนาดไหนบ้างในอนาคตข้างหน้านี้
